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定冷水樹(shù)脂的推薦使用與步驟
發(fā)電機(jī)內(nèi)冷水樹(shù)脂是我公司根據(jù)我國(guó)目前發(fā)電廠的小混床裝置，出水要求精心，精制研發(fā)生產(chǎn)的一種即用型樹(shù)脂，現(xiàn)場(chǎng)在電廠系統(tǒng)設(shè)備完善，除鹽水達(dá)到補(bǔ)水要求，即可達(dá)到電力標(biāo)準(zhǔn)。用于發(fā)電機(jī)內(nèi)冷循環(huán)水的處理。適用于發(fā)電機(jī)內(nèi)冷水的離子交換處理及微堿性離子交換處理。該技術(shù)較補(bǔ)加凝結(jié)水水法及緩蝕劑處理法有明顯的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，通過(guò)提高內(nèi)冷水的PH值，使空心導(dǎo)線(xiàn)處于相對(duì)鈍化狀態(tài)，降低了銅的腐蝕速率，同時(shí)離交混床還起到了旁路過(guò)濾的作用，截留系統(tǒng)中原有的氧化銅顆粒和其他腐蝕產(chǎn)物，減少了線(xiàn)棒堵塞的可能性。經(jīng)處理后的出水能同時(shí)滿(mǎn)足DL/T801-2010《大型發(fā)電機(jī)內(nèi)冷卻水質(zhì)及系統(tǒng)技術(shù)要求》中關(guān)于PH、電導(dǎo)率及含銅量的要求。用于發(fā)電機(jī)內(nèi)冷循環(huán)水的處理,進(jìn)水電導(dǎo)≤0.5μs/cm出水電導(dǎo)可達(dá)到≤0.15μs/cm。內(nèi)冷水通過(guò)樹(shù)脂后電阻率在15MΩ以上,按要求裝填方法使用可達(dá)到18 MΩ。*發(fā)電機(jī)內(nèi)冷水指標(biāo)要求。適用于發(fā)電機(jī)內(nèi)冷水的離子交換處理及微堿性離子交換處理。
定冷水樹(shù)脂的推薦使用與步驟
                 

　　它被推薦使用在超純水拋光處理階段的混床里來(lái)實(shí)現(xiàn)硅、硼、鈉、鉀、硫酸鹽、氯化物、鋅、鐵和鋁離子的較低的ppb水平。這類(lèi)混床在更換前可使用2-3年。UPW級(jí)別的樹(shù)脂具有很高的離子轉(zhuǎn)換率(95%小)，的電導(dǎo)率和TOC的清洗特性和的抗壓強(qiáng)度。由于它是有均粒的360微米陽(yáng)樹(shù)脂和590微米的陰樹(shù)脂混合而成，使其保持了的動(dòng)力學(xué)性能和較高的運(yùn)行交換容量。

混床樹(shù)脂

　　混合床的操作控制按如下步驟進(jìn)行

　　1、反洗分層操作當(dāng)混合床運(yùn)行失效之后，必須設(shè)法將陰、陽(yáng)樹(shù)脂分離，以便再生。這是關(guān)鍵的操作步驟。在實(shí)際生產(chǎn)中，大都采用水力篩分法，利用陰、陽(yáng)樹(shù)脂相對(duì)密度的不同，用反洗的水力，將樹(shù)脂懸浮起來(lái)，在到達(dá)一定的膨脹率之后，讓樹(shù)脂沉降下來(lái)，陽(yáng)樹(shù)脂的相對(duì)密度大沉于下面，陰樹(shù)脂的相對(duì)密度小浮于上面，將兩種樹(shù)脂明顯分開(kāi)。反洗分層操作時(shí)，開(kāi)始的流速要小，逐漸增大流速至10m/h左右，樹(shù)脂膨脹率達(dá)到50%，時(shí)間約15min，然后靜置，放水操作，約10-15min，將水放至樹(shù)脂層上面約100mm為止?；旌洗矘?shù)脂分層有時(shí)要2次，甚至3次方才分好，有的時(shí)候通以壓縮空氣反洗，或者通入NaOH溶液，將陰樹(shù)脂再生成OH型，陽(yáng)樹(shù)脂變?yōu)镹a型，使兩者間密度差加大，以增加分層效果。

混床樹(shù)脂

　　2、再生操作有體外及體內(nèi)再生兩種，而體內(nèi)再生又有兩步法和一步法之分。一步法是分別同時(shí)進(jìn)酸、堿通過(guò)陽(yáng)、陰樹(shù)脂，從中間排管排出混合再生廢液，然后，分別同時(shí)進(jìn)水對(duì)陰、陽(yáng)樹(shù)脂進(jìn)行置換與清洗。一步法的再生時(shí)間可以縮短，但再生系統(tǒng)要可靠。通常使用的兩步法就是分別進(jìn)酸、進(jìn)堿，依次對(duì)陽(yáng)、陰樹(shù)脂進(jìn)行再生。

　　3、陰、陽(yáng)樹(shù)脂混合操作樹(shù)脂經(jīng)再生和清洗之后，將分層的樹(shù)脂進(jìn)行均勻混合。從底部通入已經(jīng)凈化除油的壓縮空氣，時(shí)間約5min，然后從底部迅速排水。

混床樹(shù)脂

　　4、正洗操作從頂部進(jìn)水，以15m/h流速進(jìn)行正洗，直至電導(dǎo)率小于0.2μS/cm，硅根小于20μg/L，即為正洗合格。

　　5、正常運(yùn)行操作從頂部進(jìn)水，底部出水進(jìn)入水箱，操作控制流速約40m/h左右，當(dāng)電導(dǎo)率超過(guò)0.2μS/cm或二氧化硅超過(guò)20μg/L，就停止制水，重再生。